找硅以外的半导体材料的方法和探索

作者:物理

  来源:内容由 公众号 半导体行业观察(ID:icbank)翻译自「DARPA」,谢谢。

  此时此刻,半导体行业理所当然地关注着摩尔定律即将发生的变化,这个著名的技术预测奠定了微电子时代惊人进步的基础,以及它对硅芯片技术持续进步和主导地位的潜在影响。这意味着考虑微系统的历史中的另一个卓有远见的观点是值得的。当新生的高级研究计划局(DARPA)在1959年度过一周年纪念日时,加州理工学院的理查德·费曼(Richard Feynman)教授发表了他最著名、最重要的演讲之一,题为“在底部还有很大空间”。

  同戈登·摩尔一样,费曼也预测到了微尺度系统内的许多技术进步机会。然而,费曼的观点更为宽泛,强调了在原子尺度上操纵结构的能力所带来的奇特可能性。DARPA在将包括半导体在内的许多“奇异”结构带入现实生活的过程中发挥了核心作用,其能力超越了半个世纪以来硅电子所取得的二进制处理能力。

  费曼的演讲在20世纪80年代激发了人们对纳米技术的兴趣,因为他对纳米技术的推测以及在原子尺度上定制材料的能力正逐步实现。当时,新兴的晶体生长技术正在创造一种称为复合半导体的材料,在这种材料中,精确的化学成分或合金可以在原子水平上逐层变化。特别是GaAs及其合金作为新的神奇材料出现,使晶体管的性能远远超过硅的极限。DARPA发现新型GaAs晶体管具有更快速移动电子的潜力,从而可以在电磁频谱的更高频率上工作。虽然这项新技术不会在高度集成的数字逻辑上取代硅技术,但DARPA预计其价值将推动下一代雷达和通信系统的发展。为此,DARPA在1988年从国防部长办公室(OSD)手中接过了指挥棒,开始了“微波和毫米波集成电路MIMIC)”计划,该计划于两年前由OSD提出。

  DARPA的MIMIC技术,特别是由它产生的集成技术,使国防部能够制造出无线电和雷达系统,以比先前任何时候都更高的频率和带宽使用频谱。

  2018年3月11日,美国空军一架F-16C猎鹰战斗机在阿富汗上空同KC-135同温层加油机补给完毕后,起飞返回巡逻区域。这架飞机的联合直接攻击弹药的核心是通过DARPA的MIMIC计划开发的高性能芯片,这种芯片也使得精确武器所需的RF和毫米波电路成为可能。

  一名第10山地师步兵旅战斗队3-6 FA的士兵驾驶着新型精密火力拆卸系统,该系统让士兵可以通过一个应用程序在已批准的智能手机上观看无人机上的实时流媒体全动态视频。世界范围内普遍使用的手机技术部分归功于DARPA资助研究的GaAs半导体产业的发展。

  MIMIC计划一直持续到1995年,对工业产生了深远的影响,它寻求开发将高频材料和组件集成到军事相关技术(如无线电和雷达)中的方法和手段,并建立可靠的工业基地完成这些事情。实际上,MIMIC计划可以实现GaAs晶体管技术,从而产生一类新的RF“前端”组件。射频系统的前端是在电磁频谱中发送和接收信号的放大技术。DARPA的MIMIC技术,特别是其中出现的集成技术,使得国防部(DOD)能够制造出比以往任何时候都能在更高频率和带宽上接入频谱的无线电和雷达系统。GaAs技术在国防部系统中的应用一直持续到今天。

  除了国防应用之外,高频GaAs放大器为商业界提供了一个关键的拼图,因为商业界在上世纪90年代寻求建立新的移动电话技术。GaAs晶体管使得装有小电池的手提电话能够建立与发射塔的关键通信链路。直到今天,每一部智能手机都包含一小部分GaAs来执行这一关键功能,而且由于DARPA对MIMIC计划的投资,美国在这个价值数十亿美元的半导体行业的供应商中享有占据主导地位。

  GaAs技术的成功证明了硅之外的半导体技术的防御意义和商业可行性,并将一种曾经新奇的研究材料变成了一种商品技术。然而,即使GaAs正在逐渐成熟,但由美国海军研究办公室(ONR)和其他机构赞助的研究人员已经开始发现半导体材料的下一个飞跃。宽带隙半导体(WBGS)材料被认为是很有前途的,因为它们能像GaAs那样快速移动电子,同时也能处理大电场。这种高电流和高电压的结合驱动了提供更多RF功率的能力。虽然世界各地也正在开发几种候选材料,但DARPA认为GaN及其合金最有前途,并且建立了宽带隙半导体射频(WBGS-RF)计划来快速推进这项技术。

  WBGS-RF计划试图将尚未经证实的有潜力的材料成熟化,使之成为可以促进国防事业的工业技术。该计划于21世纪初启动,最初采用GaN材料,用直径2英寸的小型半导体晶圆承载,晶圆上有大量微管或孔洞,形如瑞士奶酪。在这种不顺利的状态下,WBGS-RF计划系统地解决了材料方面的挑战,然后逐步成功地承担了器件和电路设计方面的挑战。最终,GaN技术实现了它的承诺,现在正被用于下一代雷达技术,如海军的空中和导弹防御雷达(AMDR)。除此之外,还有更多的事情要做:GaN现在是所有主要RF半导体公司的技术组合的一部分。美国再次在这个新兴市场中占据主导地位。

  DARPA的努力使得复合半导体从研究边缘发展成为主流半导体产业。DARPA还推动主流硅技术采用包括硅合金在内的变体。特别值得一提的是,硅与锗的组合是DARPA在21世纪初支持的“高效、敏捷的微系统技术(TEAM)”计划所倡导的技术。锗(Ge)是1947年贝尔实验室制造的晶体管的材料基础;然而,由于锗的可靠性问题和硅的加工优势,锗很快就被抛弃,人们转而青睐硅。让锗回归的理由是,尽管它本身没有用,但是包含Ge与Si或SiGe混合的材料使得具有增强RF性能的器件的原子级工程可以直接构建高密度的传统硅逻辑器件。这种技术不具备GaAs和GaN等其他复合半导体的完整性能优势,但它有能力生产混合模拟和数字功能的芯片。事实证明,这种特性非常有用,SiGe技术现在已成为为本地WiFi放大器等应用提供低功耗商用解决方案的主导,现在有望为5G通信提供相控阵系统。

  GaAs、GaN和SiGe晶体管技术的这些引人注目的成功证明了通过在原子尺度上操纵晶体结构可能实现的持续创新。然而,即使这些努力也是在硅半导体领域建立的相对容易理解的晶体管物理范例内进行的。微系统更广泛的前沿领域已经超越了材料的电子特性,正如在此过程中出现的一些更奇特的技术所说明的那样。例如,DARPA在21世纪初进行了一系列计划,利用半导体加工来制造可移动和弯曲的微小结构,而不仅仅是传导电子,支持了微型机电系统(MEMS)的发展。MEMS技术在DARPA的支持下蓬勃发展,如今已发展成为一个价值数十亿美元的产业。MEMS运动传感器和执行器是安全气囊保护系统、导航,以及游戏产品的核心,甚至是在影院屏幕上投射电影的内含数百万个的微镜的数字微镜芯片。

  近年来,DARPA率先利用所谓的相变材料来制造RF开关,这种开关通过材料晶体结构的转换来操作,而不是通过传统的晶体管动作。这种大规模转换到另一种物理基础和用于数字切换的材料,让太赫兹频段的RF开关的演示成为可能,太赫兹频段是手机操作频率的1000倍左右。

  在DARPA的持续投资下,半导体技术层出不穷,它们强化了费曼关于微系统领域存在的广泛机会的观点。虽然这些微米和纳米的景观已经不是DARPA成立时的样子,但是在底部还有很大空间!

  图2:DARPA的GaN-on-diamond高电子迁移率晶体管(HEMT)表现出了改进的热性能,可以为RF系统带来更好的性能。

  图3:密歇根大学受DARPA资助的研究人员在定时和惯性测量单元(TIMU)方面取得了重大进展,该单元包含了暂时无法使用GPS时所需的一切辅助导航。单芯片TIMU原型包含六轴IMU(三个陀螺仪和三个加速度计),并将高度精确的主时钟集成到比一美分硬币还小的微型系统中。这个IMU芯片集成了突破性器件(时钟、陀螺仪和加速度计)、材料,以及DARPA的“用于定位导航授时的微技术(Micro-PNT)”计划中的设计。

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  ARX3A0 560 x 560超低功耗CMOS图像传感器 基于2.2μmBSI像素 最高可达每秒360帧

  是一款突破性的CMOS成像传感器。 ARX3A0设计为超小型(1/10英寸光学格式)和超低功耗,为物联网设备,无人机和机器人技术带来了新的选择。该产品具有创新的超级低功耗模式,在激活时功耗小于2.5mW,可以检测运动(或照明条件的变化)并唤醒系统的其余部分。能够达到每秒360帧意味着在许多情况下,ARX3A0可以像全局快门传感器一样工作,同时仍具有2.2m滚动快门像素的功率,尺寸和性能的所有优势。评估套件和我们行业领先的DevWare评估软件是可用的。请联系您当地的安森美半导体销售代表。 特性 优势 超小1/10英寸光学格式 几乎可以放入任何寻找相机的设备中。 超低功耗操作 适合电池供电的相机 高帧率(360 fps) 可以滚动快门传感器的工作方式类似于全局快门传感器 车载框架保险杠 ...

  NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

  2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和播放时间 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...

  2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和播放时间 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...

  NCP1095 以太网供电 - 供电设备接口控制器 IEEE 802.3bt

  5是符合IEEE.3bt,IEEE 802.3af和/或IEEE 802.3at标准的以太网供电设备(PoE-PD)接口控制器,可实现包括连接照明在内的高功率应用的开发。监控摄像头。 NCP1095集成了PoE系统中的所有功能,例如在浪涌阶段的检测,分类和电流限制。 使用外部传输晶体管,NCP1095可提供高达90瓦的输出电压。 NCP1095还提供Autoclass支持,以根据PD类型和分类优化功率分配。 特性 IEEE 802.3bt,IEEE 802.3af,IEEE 802.3at兼容 - 允许高达90 W的功率 - 保证PoE设备之间的互操作性 安森美半导体PoE-PD解决方案系列的一部分 内置71mΩ传输晶体管,支持高功率应用 包括由PoE或墙上适配器供电的应用程序的辅助检测引脚 支持自动分类(Autoclass)功能,允许供电设备(PSE)有效地为每个受电设备(PD)供电 内置热插拔FET也可提供更高集成度(NCP1096) 应用 终端产品 以太网供电设备(PoE-PD) Internet物联网(IoT) IEEE 802.3bt IEEE 802.3af IEEE 802.3at 数字标牌 卫星数据网 连接照明 视频和VOIP电话 安全摄像机 Pico基...

  NCP1096 以太网供电 - 受电设备接口控制器 集成热插拔FET IEEE 802.3bt

  美半导体的IEEE.3bt,IEEE 802.3af和/或IEEE 802.3at兼容解决方案系列是以太网供电设备(PoE-PD)的一部分,NCP1096支持包括连接在内的高功率应用的开发照明和USB C型.NCP1096集成了PoE系统中的所有必要功能,例如在浪涌阶段的检测,分类和电流限制。 使用内部热插拔FET,NCP1096可提供高达90瓦的输出电压。为了提高能源效率,NCP1096提供Autoclass支持,可根据PD类型和分类优化功率分配。 特性 IEEE 802.3bt,IEEE 802.3af,IEEE 802.3at兼容 - 允许高达90 W的功率 - 保证PoE设备之间的互操作性 安森美半导体PoE-PD低功耗解决方案系列的一部分 5事件物理层分类 智能功率预算使用Autoclass支持,允许PSE有效地为每个PD分配电源 当Auxililary电源连接时,有源电桥和热插拔FET禁用,提高辅助电源为PD供电的电源效率 也可提供外部热插拔FET,操作

  71 W(NCP1095) 应用 终端产品 以太网供电设备(PoE-PD) 物联网(IoT) IEEE 802.3bt IEEE 802.3af IEEE 802.3at 数字标牌 卫星数据网 连接照明 视频和V...

  NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

  9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和播放时间 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...

  NCP1521B 降压转换器 DC-DC 1.5 MHz 600 mA

  1B降压PWM DC-DC转换器针对便携式应用进行了优化,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件提供0.9 V至3.3 V的可调输出电压版本。它采用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.5 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1521B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 96%效率,30 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和播放时间 1.5 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9 V至3.3V 同类最佳即使在PFM模式下也会出现波纹 应 终端产品 应用处理器的电源 电源用于低核心电压的处理器 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...

  x34是一款双模式稳压器,适用于汽车电池连接应用,必须使用高达45 V的输入电源。混合低功耗模式允许NCV891x34作为PWM降压转换器或低压差线适用于汽车驱动器信息系统中经常遇到的低噪声和低静态电流要求的系统。复位(具有固定延迟)和故障引脚(标记低输入电压和高温警告)简化了与微控制器的接口。 提供了两个引脚来同步切换到时钟或另一个NCV891x34。 NCV891x34还提供汽车电源系统中的一些保护功能,如电流限制,短路保护和热关断。此外,即使使用小电感值和全陶瓷输出滤波电容,高开关频率也会产生低输出电压纹波 - 形成节省空间的开关稳压器解决方案。 特性 轻载条件下40μAIq 3.0 PWM中的最大输出电流NCV891334中的模式 内部N通道电源开关 VIN工作范围3.7 V至36 V,承受负载转储至45 V 逻辑电平使能引脚可以连接电池 固定输出电压5.0 V或3.3 V,精度为±2% 2 MHz自激开关频率 输入和输出同步引脚 汽车要求现场和控制变更的NCV前缀 可湿性侧翼DFN(针边电镀) 这些器件无铅且符合RoHS标准 应用 终端产品 ...

  3是一款1.5 A降压稳压器IC,工作频率为340 kHz。该器件采用V 2 ™控制架构,提供无与伦比的瞬态响应,最佳的整体调节和最简单的环路补偿。 NCV8842可承受4.0 V至40 V的输入电压,并包含同步电路。片上NPN晶体管能够提供最小1.5 A的输出电流,并通过外部升压电容进行偏置,以确保饱和,从而最大限度地降低片内功耗。保护电路包括热关断,逐周期电流限制和频率折返短路保护。 特性 优势 V 2 ™控制架构 超快速瞬态响应,改进调节和简化设计 2.0%误差放大器参考电压容差 严格的输出调节 逐周期限流 限制开关和电感电流 开关频率短路时减少4:1 降低短路功耗 自举操作(BOOST) 提高效率并最大限度地降低片内功耗 与外部时钟同步(SYNC) 与外部时钟同步(SYNC) 1.0 A关闭静态电流 当SHDNB为最小时电流消耗最小化断言 热关机 保护IC免于过热 软启动 在启动期间降低浪涌电流并最大限度地减少输出过冲 无铅封装可用 应用 终端产品 汽车 工业 直流电源 电路图、引脚图和封装图...

  系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...

  1PVD是一款适用于汽车音响系统CD接收系统的电源IC。该IC集成了5个线个高端功率开关系统,过流保护器,过压保护器和过热保护器。 SW33V输出的电源是低电压规格,与现有型号相比,可大幅降低功耗。 (包是HZIP15)。 特性 低功耗电流:50μA(典型值,只有VDD输出正在运行) 稳压器输出1 - 微控制器的VDD:输出电压:3.3V,最大输出电流:350mA 实施反向电流保护。 稳压器输出2 - 系统:输出电压:3.3V,最大输出电流:350mA 稳压器输出3 - 用于音频:输出电压:5至12V(由外部电阻设置),最大输出电流:300mA 稳压器输出4 - 用于照明:输出电压:5至12V(由外部电阻设置),最大输出电流:300mA 调节器输出5 - 对于CD:输出电压:6V,最大输出电流:1500mA 高侧开关in terlock VCC 1 - EXT:最大输出电流:500mA,输入和输出之间的电压差:0.75V 高带互锁的侧开关VCC 2 - ANT:最大输出电流:300mA,输入和输出之间的电压差:0.5V V6IN:6V用于系统(SW33V) VCC1:用于内部参考电压,控制电路和VDD输出。 ...

  NPVD是一款多输出线性稳压器IC,可降低静态电流。 LV5684NPVD专为满足汽车信息娱乐系统的电源要求而设计。 LV5684NPVD集成了5个线​​个高端电源开关,过流限制器,过压保护和热关断功能。 VDD和SW33V输出的电源是低电压规格,与现有型号相比,可大幅降低功耗。 特性 低消耗电流:50uA(典型值,只有VDD输出正在运行) 微控制器的VDD:输出电压:3.3V,最大输出电流:350mA 对于系统:输出电压:3.3V,最大输出电流:450mA 音频:输出电压:5到12V(由外部电阻设置),最大输出电流:250mA 用于照明:输出电压:5至12V(由外部电阻设置),最大输出电流:300mA 对于CD:输出电压:5V / 8V,最大输出电流:1300mA 带电流保护的高侧开关 - EXT:最大输出电流:350mA,输入和输出之间的电压差:0.5V 带电流保护的高侧开关 - ANT:最大输出电流:300mA,输入和输出之间的电压差:0.5V 电源输入 - V6IN: VDD为6V,系统(SW33V) 电源输入 - VCC1:对于内部参考电压,控制电路如果V6IN电压下降,VCC1将提供...

  FAN53526 3.0 A 2.4 MHz 数字可编程TinyBuck®调节器

  26是一款降压型开关稳压器,可从2.5V至5.5V的输入电压电源提供数字可编程输出。输出电压通过一个能够工作在3.4MHz的I2C接口进行编程。采用具有同步整流功能的专有架构,FAN53526能够以超过80%的效率提供3.0A连续性,在负载电流低至10mA时保持效率。稳压器工作在2.4MHz的标称固定频率,这降低了外部元件的价值。可以添加额外的输出电容,以改善负载瞬变期间的调节,而不会影响稳定性。在中等负载和轻负载条件下,脉冲频率调制(PFM)用于在省电模式下工作,典型静态电流为50μA(室温)。即使具有如此低的静态电流,该器件在大负载摆动期间也表现出优异的瞬态响应。在较高负载时,系统自动切换到固定频率控制,工作频率为2.4MHz。在关断模式下,电源电流降至1μA以下,从而降低功耗。如果需要固定频率,可以禁用PFM模式。 FAN53526采用15焊球,1.310mmx 2.015mm,0.4mm球间距WLCSP封装。电路图、引脚图和封装图...

  P是一款多线性稳压器,适用于USB硅调谐器汽车音响系统。该IC具有4个输出,VDD5V(3.3V),AUDIO(8.5V),SWU(3.3V)和USB5V(CD 8V:可用)。关于保护电路,它具有过流保护,过压保护和热关断功能。 VCC1(SWU和USB电源)是VCC的独立端子,接受较低的电压(例如来自DC / DC转换器),可以降低功耗。 特性 4系统稳压器 VDD5V(3.3V),AUDIO(8.5V),SWU(3.3V)和USB5V(CD 8V:可用) 过电流保护 过电压保护:典型21(除VDD外) 热关断Typ 175°C 应用Pch-LDMOS用于输出阶段 应用 汽车音响和信息娱乐系统 电路图、引脚图和封装图...

  是1.2 A LDO线性稳压器,具有低静态电流消耗(在整个温度范围内典型值为30μA),低压差,低输出噪声和非常好的PSRR。该稳压器具有多种保护功能,如热关断,软启动,限流和电源良好输出信号,便于MCU接口 特性 优势 低Vin 1.5 V 低输出电压下的低功耗 超低噪声15μV rms 非常适合噪音敏感应用 1 kHz时的良好PSRR 75 dB 非常适合功率敏感设备 低V out 从0.8 V 适用于低压应用 低静态电流30μA 适合击球应用程序 小型DFN6 2 x 2 mm包装 适用于空间受限的应用程序 高输出电流1.2 A 适用于功率要求高的应用 应用 终端产品 电池供电设备 无线和LAN设备 智能手机,平板电脑,数码相机 RF,PLL,VCO和时钟电源 无线充电器 通讯系统 便携式设备 数码相机 平板电脑,智能手机 RF电源 图像传感器供应 消费类电子产品 电信应用 电路图、引脚图和封装图...

  NCV8165 LDO稳压器 500 mA 低压差 超低Iq 超高PSRR 超低噪声

  5是一款LDO(低压降稳压器),能够提供500 mA输出电流。 NCV8165器件旨在满足RF和模拟电路的要求,具有低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。提供DFNW8 0.65P,3 mm x 3 mm x 0.9 mm封装。 类似产品: NCV8160 NCV8161 NCV8163 NCV8165 输出电流(A) 0.25 0.45 0.25 0.50 PSRR f = 1 kHz(dB) 98 98 92 85 噪音(μV RMS ) 10 10 6.5 8.5 特性 优势 超高PSRR在1 kHz时为85dB,在100 kHz时为63dB 非常适用于Wi-Fi模块等功耗敏感设备 超低输出噪声8.5μV RMS 非常好适用于噪声敏感应用 超低静态电流12μA 在轻载条件下提高效率 工作输入电压范围1.9V至5.5V 适用于电池供电设备 极低压差200mV,500mA 满载时的低功耗 应用 终端产品 A / D和D / A转换器电源 音频编解码器 电池供电设备 相机模块 RF模块 WiGig电源 LP5907或LP5912升级 汽车设备点负载调节 信息娱乐,车身控制和导航 远...

  是150 mA LDO,可提供非常稳定,准确的电压和低噪声,适用于空间受限,噪声敏感的应用。为了优化电池供电的便携式应用的性能,NCP105采用动态静态电流调节,在空载时实现极低的IQ消耗。 NCP105采用小型XDFN-4 1 mmx1 mm,0.4 mm薄型封装以及标准TSOP5封装。 特性 优势 工作输入电压范围:1.7 V至5.5 V 非常适合电池供电的应用程序 低压差:125 mV典型值150 mA @ 2.8 V 支持输入输出电压要求非常低的应用 1kHz时高PSRR 70dB 非常适合噪音敏感的应用程序 热关断和电流限制保护 稳健的设计和高可靠性 Typ的非常低的静态电流。 50μA 适用于电池供电的应用 XDFN4 1.0 x 1.0 mm包中提供 非常非常适合空间受限的应用 +/- 1%典型Vout准确度@ 25°C 功率敏感设备的精确Vout TSOP5包中提供 非常适合首选含铅包的应用 应用 终端产品 触摸屏控制器电源 无线模块 相机供应模块 MCU和低功耗FPGA电源 物联网电池供电的无线传感器节点 智能手机 平板电脑 便携式设备 无线手机 IP摄像机 智能家居,智...

  是双模式LDO,在ActiveMode中提供高达80 mA的电流,在低功耗模式下低至50 nA的Iq。双模式功能可通过ECO引脚选择,允许动态和低功耗模式之间的动态切换,非常适用于长寿命电池供电的无线应用。低功耗模式下的输出电压可降低50 mV,100 mV,150的内部工厂编程值相对于活动模式下的标称输出电压,mVor为200 mV。此功能进一步降低了睡眠模式下的应用消耗.NCP171采用SLIQ(超低Iq)LDO系列,具有50nA的超低静态电流,可用于小XDFN4 1.2 x 1.2包。 特性 优势 超低水平50nA 非常适合电池供电的应用 双模式功能针对主动模式和待机模式操作进行了优化 系统灵活地在两种不同的操作模式之间切换,优化性能和延长电池寿命 工作模式,高达80mA,具有出色的PSRR和噪声性能 非常适用于射频电源和高精度传感器 低功耗模式(SLIQ),50nA Iq 当系统处于扩展待机(低功耗)模式时延长电池寿命 模式选择,ECO Pin 灵活选择主动和低功率模式 XDFN 1.2x1.2包 空间受限应用程序的小尺寸 应用 终端产品 无线电池供电的物联网传感器 电池供电的医疗...

  是300 mA LDO,可提供非常稳定,准确的电压和低噪声,适用于空间受限,噪声敏感的应用。为了优化电池供电的便携式应用的性能,NCP115采用动态静态电流调节,在空载时实现极低的IQ消耗。 NCP115采用小型XDFN-4 1 mmx1 mm,0.4 mm薄型封装以及标准TSOP5封装。 特性 优势 工作输入电压范围:1.7 V至5.5 V 非常适合电池供电的应用程序 固定电压选项:0.8 V至3.6 V 满足各种电源需求的灵活性 低压降:250 mV典型值300 mA @ 2.8 V 支持输入电压要求非常低的应用 1kHz时PSRR为70dB 非常适合噪音敏感应用 热关断和限流保护离子 稳健的设计和高可靠性 典型的非常低的静态电流。 50μA 适用于电池供电的应用 XDFN4 1.0 x 1.0 mm包中提供 非常非常适合空间受限的应用 +/- 1%典型Vout准确度@ 25°C 功率敏感设备的精确Vout TSOP5包中提供 非常适合首选含铅包的应用 应用 终端产品 触摸屏控制器电源 无线模块 相机供应模块 MCU和低功耗FPGA电源 物联网电池供电的无线传感器节点 智能手机...

  0 / MC78M00A正线系列器件完全相同,只是它的输出电流仅为输出电流的一半。与MC7800器件一样,MC78M00三端稳压器用于本地卡上电压调节。 内部通道晶体管的内部限流,热关断电路和安全区域补偿相结合,使这些线性稳压器在大多数工作条件下都非常坚固。具有足够散热的最大输出电流为500 mA。 规格:

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